Berkat Material Ini Kinerja Memori Akan Semakin Baik

Tim ilmuwan menemukan kelas material baru yang menampilkan ferroelectricity, di mana teknologi tersebut dapat digunakan untuk membuat jenis baru perangkat penyimpanan data atau disebut memori.

Tim peneliti yang dipimpin Christos Panagopoulos dari Nanyang Technological University di Singapore, meneliti heterostruktur berlapis pada skala atom. Material yang berbeda ini disimpan pada beberapa lapisan atom tebal.

Material ferroelectric menunjukkan polarisasi listrik spontan. Ini ditandai dengan muatan listrik positif di satu sisi bahan dan muatan listrik negatif di sisi yang berlawanan.

Polarisasi ini dapat dibalik dengan menerapkan medan listrik (dari baterai misalnya). Orientasi kedua polarisasi tersebut mampu membuat material atraktif yang dapat digunakan untuk pengembangan memori komputer.

Pengembangan ini secara signifikan memperluas kelas material ferroelectric yang telah dikenal dan memberikan kemungkinan untuk merancang ferroelectric baru. Material baru ini dibuat dan dikarakterisasi oleh para peneliti dari Foundation for Research and Technology-Hellas di Yunani, Nanyang Technological University di Singapore serta Sungkyunkwan University di Korea Selatan.

[gtm]